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本申请公开了一种籽晶的制备方法，尤其涉及一种碳化硅籽晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该制备方法包括以下步骤：采用熔融态组分所形成的气相对籽晶生长面的台阶进行修复或重构；其中，所述熔融态组分包括反应元素中的至少一种，所述反应元素能够与...
该专利属于山东天岳先进科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进科技股份有限公司授权不得商用。

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