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本发明公开了一种氢气传感器芯体及其制备方法和氢气传感器，该氢气传感器芯体包括半导体衬底以及在其上设置的源极和漏极、沟槽区、介质层、氢气敏感层和金属电极层。其制备方法包括在半导体衬底上述制备源极和漏极、沟槽区、介质层、氢气敏感层和金属电极层。...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

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