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本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种具有隧穿钝化的P型晶体硅太阳能电池，包括P型衬底，其特征在于，所述的P型衬底正面由内到外依次设有选择性发射极、超薄隧穿氧化硅层、磷掺杂多晶硅层、正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，所述的P型衬...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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