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本发明公开一种纳米防伪标识的制作工艺，其包括有下列工序：清洗处理用于制作标识的金属条带；工作室抽真空；接通宽束离子源装置电源，通入氩气，在高压２ｋｖ电场和磁场的作用下，产生密度约２毫安／平方厘米的氩离子流；氩离子流以３０°方向轰击设在真空工...
该专利属于黄庆文所有，仅供学习研究参考，未经过黄庆文授权不得商用。

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