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本公开提供了提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。红光发光二极管芯片的外延片中，在p型AlInP限制层上依次生长第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜，第一布拉格反射镜包括p
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该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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