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本发明公开了一种适用于深关断的二极管参数提取方法及模型建立方法，包括：基于施加给二极管的偏置电压、主动器件的沟道开启电压和曲线平滑参数，获得调整电压；基于调整电压，获得沟道开启后的本征二极管的内部偏置电压；基于施加给二极管的偏置电压，获得深...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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