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公开了包含嵌入在分层衬底组合件的多个装置层级处的单晶体管单电容器(1T1C)胞元的单片集成的三维(3D)DRAM阵列结构。在一些实施例中，延伸穿过所述衬底组合件的竖直导电数据线柱和接地柱提供晶体管源极和接地电压，并且多个装置级处的水平导电存...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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