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本发明公开了一种全超结MOSFET器件结构及其制造方法，包括MOSFET器件结构本体，所述MOSFET器件结构本体分为终端区和原胞区，且所述终端区和原胞区均主要包括由下到上依次布置的N外延硅衬底、第一外延层和第二外延层，且所述第二外延层的厚...
该专利属于上海道之科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海道之科技有限公司授权不得商用。

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