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上海磁宇信息科技有限公司
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磁性隧道结结构及其磁性随机存储器制造技术
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文档序号:29923335
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本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器,所述磁性隧道结结构的反铁磁层的铁磁超晶格层与参考层结合,形成具有超薄反铁磁层和参考层双层结构,调节所述反铁磁层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场,其令磁性隧道结具有相...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。
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