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本发明提供一种提高介电薄膜电容器储能密度的方法，包括以下步骤：S1：制备底电极；S2：在底电极上沉积PbZrO...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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