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本发明提供了一种SiC晶圆及其外延层结构的综合测试方法。采用激光共聚焦成像系统，不但可以通过透射正交偏光模式观察SiC的微管缺陷，以及微分干涉观察样品表面形貌，还有相比于普通光镜有更高的空间分辨率，高达120nm。同时可以通过在高度方向层切...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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