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本发明公开一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，包括：半导体衬底；外延半导体层，形成在所述半导体衬底之上；阱区，形成在所述外延半导体层之上；源区，形成在所述阱区内部；第一沟槽和第二沟槽，形成在所述外延半导体层、所述源区和所述阱区的内部；以及第二...
该专利属于江苏长晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏长晶科技有限公司授权不得商用。

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