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本发明提供了一种氮化镓基器件及其制造方法，其在衬底中形成栅极沟槽后再生产氮化镓基外延叠层，并进一步形成栅介质层、填充栅极，以及形成平行于栅极沟槽的源极欧姆接触结构和漏区欧姆接触结构，能够在与平面结构具有相同性能的前提下缩小器件体积，且可以使...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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