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本发明公开了一种具有终端保护区的超结MOS型器件，从器件边缘向器件元胞方向依次为终端区和元胞区，在终端区和元胞区之中有着多个相互独立的周围环绕有P型掺杂柱的氧化硅区，且氧化硅区深度大于P型掺杂柱的深度；通过将P柱形成于氧化硅区侧面，避免了多...
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