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一种半导体结构，包括：衬底；垂直鳍状物，所述垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方；第一垂直传输场效应晶体管(VTFET)，所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方；隔离层，所述隔离层围绕所述垂直...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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