温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种超结MOS器件，从下至上依次包括漏极金属层、重掺杂第二类导电类型半导体漏区、中等掺杂第二类导电类型半导体缓冲层、轻掺杂第二类导电类型半导体柱区、中等掺杂第二类导电类型半导体JFET区、源极金属层；本发明在超结VDMOS器件的基...
该专利属于电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。