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本发明涉及一种具有高导通能力的氮化镓晶体管及其制备方法。由下至上依次包括衬底，应力缓冲层，GaN沟道外延层，AlGaN势垒层，在栅区刻蚀下方AlGaN势垒层形成栅区凹槽、在源区和漏区刻蚀下方AlGaN势垒层形成阵列孔，在凹槽和阵列孔中选区生...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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