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本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包括基底、P型III‑V族化合物层、栅极电极以及含碳层。该P型III‑V族化合物层设置于该基底上，且该栅极电极设置于该P型III‑V族化合物层上。该含碳层设置于该P型III‑V族化合物层下方，作为一扩散阻挡...
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