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本发明属于半导体光电器件领域，公开了一种径向结硅量子点电致发光器件，包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品，所述样品表面沉积有Al...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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