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本发明公开了一种碳化硅沟道半导体器件，具有一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底和一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅漂流区，碳化硅漂流区位于碳化硅衬底上方。漂流区中的第一本体区掺杂第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。第一本体区中的第一源极...
该专利属于万国半导体国际有限合伙公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体国际有限合伙公司授权不得商用。

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