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公开了一种沟槽MOSFET及其制造方法，所述沟槽MOSFET包括：第一掺杂类型的半导体基底；从所述半导体基底的上表面延伸至其内部的沟槽；位于所述沟槽内部的第一绝缘层和屏蔽导体，所述第一绝缘层位于所述沟槽的下部侧壁和底部，且将所述屏蔽导体和所...
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