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公开了一种垂直碳化硅功率MOSFET，其具有作为漏极的n+型4H‑SiC衬底和外延地生长在4H‑SiC衬底上的充当漂移区的n‑型4H‑SiC外延层、以及注入漂移区中的p++型源极区、p型阱区、p型沟道区和n++型接触区、以及通过栅氧化层与源...
该专利属于ABB电网瑞士股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB电网瑞士股份公司授权不得商用。

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