下载半导体结构中的III-N至稀土过渡的技术资料

文档序号:29503670

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鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题,本文描述的实施例使用分层结构,分层结构包括稀土氧化物(REO)或稀土氮化物(REN)缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中,III‑N层的压电系数通过分层结构中...
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