专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
IQE公开有限公司
>
半导体结构中的III-N至稀土过渡制造技术
>技术资料下载
下载半导体结构中的III-N至稀土过渡的技术资料
文档序号:29503670
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题,本文描述的实施例使用分层结构,分层结构包括稀土氧化物(REO)或稀土氮化物(REN)缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中,III‑N层的压电系数通过分层结构中...
该专利属于IQE公开有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过IQE公开有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。