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本发明涉及三维电子封装技术领域，公开了一种抑制TSV中铜热胀出的方法，其包括：超声波调控TSV沉积铜晶粒尺寸工艺参数优化设计：建立超声波作用下TSV孔道内声场和流场的分布模型，计算铜离子和添加剂分子的局部浓度；建立超声波作用下TSV镀铜填充...
该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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