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本发明公开了一种P型槽栅结合极化层结构的GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层；沟道层、势垒层和钝化层的长度小于缓冲层的长度以在两侧形成缺口，并在两侧的缺口分别设置漏极和源极；势垒层和钝化层的相同位置分别...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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