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本发明公开了一种半导体结构以及半导体结构制备方法，该半导体结构可以包括设置在基底中的浅沟槽隔离结构，以及至少部分设置在浅沟槽隔离结构上的第一栅极结构，其中，浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于基底的上表面，第一栅极结构可以包括第一介质层和第一...该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体结构以及半导体结构制备方法，该半导体结构可以包括设置在基底中的浅沟槽隔离结构，以及至少部分设置在浅沟槽隔离结构上的第一栅极结构，其中，浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于基底的上表面，第一栅极结构可以包括第一介质层和第一...