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一种在衬底上形成的晶体管，包括：源区域；漏区；在源极区和漏极区之间延伸的沟道区；将源极区，漏极区和金属栅极耦合到多层金属互连结构上接触；和分子簇薄膜，其与金属栅极的导电金属部分接触，该分子簇薄膜包括纳米级分子簇，所述纳米级分子簇包括至少两个...
该专利属于江苏集创原子团簇科技研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏集创原子团簇科技研究院有限公司授权不得商用。

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