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本发明公开了一种闪烁晶体阵列抗辐照加固结构，在闪烁晶体阵列外表面包覆有中子吸收层，中子吸收层将闪烁晶体阵列除出光面的其余面包覆，在中子吸收层外表面包覆有中子慢化层，中子慢化层将中子吸收层外表面包覆；并公开了闪烁晶体阵列抗辐照加固方法，该方法...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十六研究所授权不得商用。

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