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本发明涉及光电器件，涉及半导体器件，光电器件的单个发光像素点或有效工作区域的特征尺寸小于等于500微米，包括：半导体衬底，其第一部分区域上形成有第一传输层，位于第一部分区域周围的第二部分区域上形成有第一层绝缘层，并在第一层绝缘层上形成有第一...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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