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本发明公开了一种陶瓷封装基座。这种陶瓷封装基座包括绝缘基体和钨导电层；钨导电层设置于绝缘基体的至少一个表面上；绝缘基体由氮化铝陶瓷形成；其中，钨导电层包括W、Al和M，M表示稀土元素。本发明制备的氮化铝陶瓷封装基座热导率高，导电层结合力好，...
该专利属于潮州三环(集团)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潮州三环(集团)股份有限公司授权不得商用。

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