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本发明公开了一种基于铁电掺杂的PN结存储器件，主要为解决现有PN结存储器件无法实现不同导电类型切换的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘氧化层(2)和沟道层(3)，该沟道层的两侧为阳极(8)和阴极(9)，上部左边为阳极极化栅(4)，右边为阴...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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