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本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，陷阱辅助隧穿电流为第一函数和第二函数的乘积；第一函数为与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关的函数；第二函数为和漏极电流相关的函数；第一函数包括的参数包括3个，分别为：jtsswgs，njtsswgs，...
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