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本申请公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供栅极心轴掩模图案和第一栅极掩模图案；消除第一栅极掩模图案中的间隙，使第一栅极掩模图案形成辅助掩模图案；组合栅极心轴掩模图案和辅助掩模图案，以形成目标掩膜图案；提供衬底，衬底上形成有栅极结构材料...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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