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本发明涉及一种高耐压双栅极横向HEMT器件，包括位于衬底上的缓冲层以及依次层叠于缓冲层上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层组成的叠层，还包括p型埋层、位于p型埋层上的栅极和位于势垒层上的源/漏极和Γ型栅；沿厚度方向上，p型埋层自...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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