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本发明公开一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；坩埚设于保温结构内...
该专利属于宁波恒普真空技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波恒普真空技术有限公司授权不得商用。

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