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本发明涉及一种硅存储相关卷积器，其包括至少一二极管阵列及抽头延迟线，抽头延迟线设置在该二极管阵列的中间，该抽头延迟线与二极管阵列通过二次集成连接。本发明的硅存储相关卷积器的ＬｉＮｂＯ↓［３］抽头延迟线外接普通二极管阵列结构的声表面波存储相关...
该专利属于深圳职业技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳职业技术学院授权不得商用。

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