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一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法技术
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文档序号:29219600
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本发明公开了一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法,包括硅基板,硅基板上覆盖有一层SiCN阻挡层,SiCN阻挡层上覆盖有一层Al薄膜层,Al薄膜层上覆盖有一层SiAlCO过渡层,SiAlCO过渡层上设有负极材料层;所述的负极材料层由两层...
该专利属于温州大学所有,仅供学习研究参考,未经过温州大学授权不得商用。
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