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本实用新型适用于半导体硅锗外延设备领域，具体是一种低压低温单片式工艺外延机台，包括：石英反应腔，在石英反应腔四周加设有多组反射板，而反射板利用上下包围分布在石英反应腔四周的环形的加热灯泡组对石英反应腔加热，其中，加热灯泡组中包含有环形灯丝；...
该专利属于南京原磊纳米材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京原磊纳米材料有限公司授权不得商用。

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