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本发明提供一种改善关断特性的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法。驱动电路，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，还包括：电压变化率控制模块和/或电流变化率控制模块；本发明通过增加电压变化率控制模...该专利属于北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院授权不得商用。