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本发明提供了一种高品质因数氧化镓晶体管，包括：由下到上依次叠置的单晶氧化镓衬底(1)、氧化镓外延层(2)和变掺杂沟道层(3)；源极(S)和漏极(D)，分别位于变掺杂沟道层(3)表面两端；介质层(4)，位于变掺杂沟道层(3)表面且连接源极(S...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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