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本发明提供一种高压JFET器件及制造方法，包括p型衬底、n型漂移区阱，p型阱区、中部及右侧重掺杂层降场层交替结构；中部及右侧重掺杂层降场层交替结构中，重掺杂层和降场层上下交替设置，且重掺杂层和降场层依次为交替设置的第一导电类型和第二导电类型...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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