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本申请公开了一种高抗辐射存储器件及其制备方法，涉及存储器制造技术领域，所述存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；碳纳米管存储单元，所述碳纳米管存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由绝缘层、金属阻挡层和...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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