温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种MEMS硅压阻式压力传感器及其制备方法，通过设置硅衬底层、发热Pt电阻层、金属Al热沉结构层和压阻器件层，为MEMS硅压阻芯片提供一个稳定的温度场，利用恒温温度场系统将MEMS敏感元件与外界温度场相隔离，从而在本质上达到解决...
该专利属于成都凯天电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都凯天电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。