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本发明提供一种应用于ＭＯＳＦＥＴ电学仿真的ＢＳＩＭ３ ＨＣＩ可靠性模型，该模型提供了根据偏压条件下的ＭＯＳＦＥＴ施加偏压时间计算晶体管受ＨＣＩ效应影响退化后输出特性的方法：在标准ＢＳＩＭ３模型基础上考虑了其受热载流子退化效应影响并随施加偏压...该专利属于华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。