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本发明公开了一种半导体器件布局结构，其可使半导体器件尺寸缩小，同时可确保半导体器件的电学性能，其包括衬底、布置于衬底上的源极区、漏极区、栅极区、连通源极区与漏极区的沟道、连接线，源极区、漏极区、栅极区均为主动区域，主动区域包括第一主动区域、...
该专利属于澳芯集成电路技术（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过澳芯集成电路技术（广东）有限公司授权不得商用。

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