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提供一种激光退火装置，其对非晶硅膜的要进行改性的改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域生长为晶化硅膜以进行改性，其中，所述激光退火装置具备：第一照射部，其对所述非晶硅膜进行用于形成籽晶区域的第一激光的照射；以及第二照射部，其进行第二激光的...
该专利属于株式会社V技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社V技术授权不得商用。

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