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本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩膜版...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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