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本发明公开了一种外延基座，包括边缘侧墙和片坑，所述边缘侧墙位于所述片坑的外围，所述片坑用于盛放硅片，所述片坑沿径向由外至内依次包括：支撑台，用于支撑硅片；外围区域，所述外围区域上表面不高于所述支撑台上表面；以及中心区域，所述中心区域上表面不...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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