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本发明涉及一种碳化硅外延片及碳化硅二极管器件及其制备方法，碳化硅外延片设置多层N型SiC外延层和不同面积的P型区，位于下层的P型区面积较大，能够提高器件反向击穿特性和抗浪涌电流能力，位于上层的P型区面积较小，能够增加表面肖特基接触面积，进而...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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