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本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管及其制备方法，其中集成肖特基二极管的碳化硅场效应管包括衬底层和外延层，外延层背离衬底层的一侧具有栅极沟槽，栅极沟槽内具有栅极氧化层以及栅电极层，还包括与栅极介质层顶部...
该专利属于厦门芯达茂微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯达茂微电子有限公司授权不得商用。

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